en English version     
de Deutsch (ankunft bald)
Актуальные семинары
Семинар № 162 (25.10.2019)

Родственные сайты

http://nano-edu.ulsu.ru/ http://lab.ulsu.ru/ http://ckp.ulsu.ru/
Научно-исследовательский технологический институт (НИТИ) Ульяновского государственного университета (УлГУ)

Новиков Сергей Геннадьевич

 novikov_0.jpgРодился в 1973 году.

1995 год – окончил физико-технический факультета филиала Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова в г. Ульяновске (сейчас — Ульяновский государственный университет).

1998 год – окончил аспирантуру УлГУ и защитил кандидатскую диссертацию.

С 1999 года старший научный сотрудник управления научных исследований УлГУ.

2000 год – присвоение ученого звания старший научный сотрудник.

С 2002 по 2008 год – начальник отдела разработки электронных изданий УлГУ.

С 2008 по 2009 год — старший научный сотрудник НИТИ УлГУ.

С  2009 года — начальник Лаборатории твердотельной электроники НИТИ УлГУ.

кандидат технических наук, доцент, старший научный сотрудник, докторант

Научная специальность по диплому кандидата наук: 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника на квантовых эффектах

Краткая аннотация научной деятельности:

Научные интересы лежат в области полупроводниковых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением и связаны с вопросами моделирования, проектирования и исследования приборов с симметричными S- и N-образными характеристиками, таких как симисторы и N-приборы с различными типами оптоэлектронного, магнитного и полевого управления.

Под руководством Новикова С.Г. ведется активная научная работа по направлению «Моделирование и исследование многослойных полупроводниковых структур с положительной обратной связью и приборов на их основе», поддерживаемая грантами по ФЦП «Кадры инновационной России» на 2009–2013 гг.

Наиболее значимые публикации:

Автор более 100 научных трудов, в т.ч. 4-х патентов на изобретения и полезные модели.

  • S.G.Novikov, N.T.Gurin, and I.V.Korneev Simulation and investigation of a bipolar transistor with transfer N-shaped current-voltage characteristic // Russian microelectronics, 2011, vol. 40, № 7. pp.13-16.
  • Гурин Н.Т., Новиков С.Г., Корнеев И.В., Штанько А.А., Родионов В.А. Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота // Письма в ЖТФ, 2011, том 37, вып. 6, c.57-62.
  • Новиков С.Г., Гурин Н.Т., Корнеев И.В., Родионов В.А. « Двухполюсный позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной дифференциальной проводимостью» // Нано — и микросистемная техника» № 12, 2010. с.35–37.
  • Новиков С.Г. Гурин Н.Т., Корнеев И.В. Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной n-образной вольт-амперной характеристикой //Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 4(84) 2010, с.14–19.
  • Новиков С.Г., Гурин Н.Т., Корнеев И.В. Моделирование и исследование негатрона с передаточной  N-образной вольт-амперной характеристикой // «Нано-и микросистемная техника» № 4, 2010, с.17–24. 
  • С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин, И.В.Корнеев, М.А.Терентьев. Устройство позиционирования на базе полупроводникового позиционно-чувствительного фотодатчика с отрицательной проводимостью. Нано- и микросистемная техника.— 2007.— № 12.— с.58–60.
  • А.В.Косихин, С.Б.Бакланов, С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин. Влияние ионизирующих излучений на магниточувствительные свойства планарных симисторов. Журнал технической физики.— 2007.— Т.77.— № 1.— с.121–123.
  • С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин, И.В.Корнеев. Моделирование фотоприемника с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры. Известия вузов. Электроника.— 2006.— № 4.— с.88–89.
  • С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин. Схемотехнические аналоги симметричных негатронов. Микросистемная техника.— 2004.— № 12.— с.27–30.
  • С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, Е.В.Лычагин, С.Г.Новиков, А.В.Картавенко, М.А.Костылов. Полярно-чувствительные N-образные входные вольт-амперные характеристики симисторной структуры. Известия вузов. Электроника.— 2003.— № 6.— с.17–21.
  • С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, Е.В.Лычагин, С.Г.Новиков, А.В.Картавенко, М.А.Костылов. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры. Журнал технической физики.— 2003.— Т.73.— № 9.— с.141–142.
  • С.И.Воронцов, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.Г.Новиков. Облучение рентгеновским излучением планарно-диффузионных симисторных структур как метод повышения магниточувствительности. Письма в ЖТФ.— 2002.— Т.28.— № 19.— с.37–42.
  • С.И.Воронцов, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.Г.Новиков Экспериментальное исследование магниточувствительных свойств радиационно-модифицированных планарных симисторов. Микросистемная техника.— 2001.— № 10.— с.3–6.
  • С.Г.Новиков, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.И.Воронцов. Повышение магниточувствительности планарных симисторов путем радиационной модификации структуры. Письма в ЖТФ.— 2001.— Т.27.— № 8.— с.53–57.
  • С.Г.Новиков, А.Ю.Новоселов, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин. Схемотехническое моделирование и исследование мощных N-транзисторов. Известия вузов. Электроника.— 1999.— № 1–2.— с.86–90.
  • С.Г.Новиков, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин. Исследование полупроводниковых самосканирующих устройств с шунтирующим методом управления. Известия вузов. Электроника.— 1998.— № 4.— с.31–36.
  • С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, В.В.Кузнецов, С.Г.Новиков. Трехтранзисторные схемы замещения в моделировании МДП-симисторов и симисторных оптопар. Известия вузов. Электроника.— 1998.— № 1.— с.71–78.
  • С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.Г.Новиков. Моделирование и исследование планарно-диффузионных симисторов малой мощности и оптопар на их осн ове. Известия вузов. Электроника.— 1997.— № 6.— с.49–59.

diplom_geneve.jpg

Разработка «Фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры», одним из авторов которой является Новиков С.Г., удостоеназолотой медали «Международного салона изобретений» (18–22 апреля 2007 г., Женева, Швейцария), диплома 58-й международной выставки «Идеи-изобретения-инновации» — “IENA 2006” (1–5 ноября 2006 г., Нюрнберг, Германия), а также диплома Министерства образования и науки РФ за высокий научно-технический уровень разработки и диплома Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам РФ за высокий уровень разработки.

seul.jpg

Разработка  «Полупроводниковый прибор со встроенной защитой в цепях управления и нагрузки» на Международной ярмарке изобретений  SIIF-2010 (2–5 декабря 2010 г. Сеул, Южная Корея) удостоена серебряной медали.

За многолетний и добросовестный труд в 2008 г. награжден почетной грамотой Министерства науки и образования Российской Федерации.

Контактный адрес и телефоны: г. Ульяновск, Набережная р. Свияги, корпус 4, ауд. 307.
Рабочий телефон: (8422) 67-50-54, e-mail: novikovsg@ulsu.ru.

Русский